Bu2520Df в Москве
Bu2520Df в Ростове-на-Дону

Bu2520Df в Краснодаре

1592 товара
Вы выбрали: Bu2520Df x
Сбросить (2)

Наименование: Новый совместимый картридж T1631 черный для принтеров Epson WF-2520 Ресурс печати: 500 страниц (14.6 мл назначение: для струйной печати цвет: черный объём: 14.6 мл производитель принтера: Epson количество картриджей: 1 шт. ресурс: 500 страниц

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Express доставка
от 509 руб.
Наименование: Новый совместимый картридж T1631 черный для принтеров Epson WF-2520 Ресурс печати: 500 страниц (14.6 мл назначение: для струйной печати цвет: черный объём: 14.6 мл производитель принтера: Epson количество картриджей: 1 шт. ресурс: 500 страниц

от 509 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Наименование: Новый совместимый картридж C-EXV32 для принтера Canon iR-2520 Ресурс печати: 14600 страниц

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 2 236 руб.
Наименование: Новый совместимый картридж C-EXV32 для принтера Canon iR-2520 Ресурс печати: 14600 страниц

от 2 236 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 244 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 244 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Производитель принтера: Epson, цвет: черный, тип: картридж, объём: 14.60 мл

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 1 118 руб.
Производитель принтера: Epson, цвет: черный, тип: картридж, объём: 14.60 мл

от 1 118 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор BU2520DF по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 258 руб.
Транзистор BU2520DF по выгодной цене

от 258 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NPN HD 1500/800В/10А/45Вт 500 нс + Диод характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 7 Прочие Бренд PHILIPS Вес г. 7.4 Тип Корпуса SOT-199

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 258 руб.
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NPN HD 1500/800В/10А/45Вт 500 нс + Диод характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 7 Прочие Бренд PHILIPS Вес г. 7.4 Тип Корпуса SOT-199

от 258 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 258 руб.
Тип: транзистор

от 258 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Микроконтроллер двенадцатиразрядного порта

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 431 руб.
Микроконтроллер двенадцатиразрядного порта

от 431 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: микросхема

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 343 руб.
Тип: микросхема

от 343 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Мультимедиа преобразователь BU2478 Бренд: ROHM Co., Ltd. Исполнение: SOP22

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 343 руб.
Мультимедиа преобразователь BU2478 Бренд: ROHM Co., Ltd. Исполнение: SOP22

от 343 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 125W Ucb, max 1500V Uce, max 700V Ueb, max - Ic, max 8A Tj, max 150єC Ft, max 7MHz Cctip, pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 403 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 125W Ucb, max 1500V Uce, max 700V Ueb, max - Ic, max 8A Tj, max 150єC Ft, max 7MHz Cctip, pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG

от 403 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Граничная частота коэ...

от 230 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора, не более: 15 А...

от 230 руб.
Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора, не более: 15 А Рассеиваемая мощность, не боле...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора, не более: 15 А...

от 230 руб.
Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора, не более: 15 А Рассеиваемая мощность, не боле...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...

от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 230 руб.

Посмотреть

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 125W Ucb,max 1500V Uce,max 700V Ueb,max - Ic,max 8A Tj,max 150єC Ft,max 7MHz Cctip,pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG тип: транзистор

от 403 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 125W Ucb,max 1500V Uce,max 700V Ueb,max - Ic,max 8A Tj,max 150єC Ft,max 7MHz Cctip,pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching Аналоги: BU508A; Caps FIG тип: транзистор

от 403 руб.

Посмотреть

Описание товара Биполярный транзистор, характеристики CTV/Monitor-HA, 1500/800V, 10A, 45W64kHz характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 17 Прочие Бренд PHILIPS Вес г. 17.3 Тип Корпуса SOT-399

от 265 руб.
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики CTV/Monitor-HA, 1500/800V, 10A, 45W64kHz характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 17 Прочие Бренд PHILIPS Вес г. 17.3 Тип Корпуса SOT-399

от 265 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 360 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 360 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V Ма...

от 100 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V Макcимальный постоянный ток колл...

от 100 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 310 руб.
Тип: транзистор

от 310 руб.

Посмотреть

Технические параметры Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс....

от 200 руб.
Технические параметры Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

от 200 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 360 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 360 руб.

Посмотреть

Тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218, ST [BU808DFI

от 549 руб.
Тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218, ST [BU808DFI

от 549 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 208 руб.
Тип: транзистор

от 208 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 549 руб.
Тип: транзистор

от 549 руб.

Посмотреть

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BU808DFX orig, цена от 320.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 549 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BU808DFX orig, цена от 320.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 549 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 214 руб.
Тип: транзистор

от 214 руб.

Посмотреть

Малосигнальные транзисторы PNP, 40–50 В, Fairchild Semiconductor Технические параметры Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -1.6 V Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 1 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряж...

от 214 руб.
Малосигнальные транзисторы PNP, 40–50 В, Fairchild Semiconductor Технические параметры Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер -1.6 V Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 1 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер -2...

от 214 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 299 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 299 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 326 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 326 руб.

Посмотреть

Описание товара Ключ двунаправленный х 4 характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 1 Прочие Бренд Rohm Electronics Вес г. 1.5 Тип Корпуса DIP-14

от 192 руб.
Описание товара Ключ двунаправленный х 4 характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 1 Прочие Бренд Rohm Electronics Вес г. 1.5 Тип Корпуса DIP-14

от 192 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 299 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 299 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Ма...

от 255 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток колл...

от 255 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 447 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 447 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Ма...

от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток колл...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Ма...

от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток колл...

от 230 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Ма...

от 255 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток колл...

от 255 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 367 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 367 руб.

Посмотреть

Тип: микросхема

от 1 847 руб.
Тип: микросхема

от 1 847 руб.

Посмотреть

Тип: микросхема

от 688 руб.
Тип: микросхема

от 688 руб.

Посмотреть

Описание The PIC18F2520-I/SP is an Enhanced Flash Microcontroller with 10-bit A/D and nanoWatt technology. The PIC18F2520 family introduces design enhancements that make these microcontrollers a logical choice for many high-performance and power sensitive applications....

от 688 руб.
Описание The PIC18F2520-I/SP is an Enhanced Flash Microcontroller with 10-bit A/D and nanoWatt technology. The PIC18F2520 family introduces design enhancements that make these microcontrollers a logical choice for many high-performance and power sensitive applications. The PIC18F2520 family incorpor...

от 688 руб.

Посмотреть

PIC18F2520 - Микросхема с прошивкой для блока RGY000MBP4 тип: микросхема

от 7 442 руб.
PIC18F2520 - Микросхема с прошивкой для блока RGY000MBP4 тип: микросхема

от 7 442 руб.

Посмотреть

PIC18F2520 - Микросхема с прошивкой для блока RGY000MBP4

от 7 442 руб.
PIC18F2520 - Микросхема с прошивкой для блока RGY000MBP4

от 7 442 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная т...

от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 1...

от 230 руб.

Посмотреть

Мультимедиа преобразователь тип: микросхема

от 526 руб.
Мультимедиа преобразователь тип: микросхема

от 526 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор - [ISOWATT218F]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 1.5 кВ; IК(макс): 8 А; Pрасс: 50 Вт; h21: 5...30

от 318 руб.
Биполярный транзистор - [ISOWATT218F]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 1.5 кВ; IК(макс): 8 А; Pрасс: 50 Вт; h21: 5...30

от 318 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: микросхема

от 396 руб.
Тип: микросхема

от 396 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 405 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 405 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 405 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 405 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...

от 200 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 15...

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 280 руб.
Тип: транзистор

от 280 руб.

Посмотреть

Транзистор биполярный высоковольтный

от 280 руб.
Транзистор биполярный высоковольтный

от 280 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...

от 200 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 15...

от 200 руб.

Посмотреть

Тип Биполярный транзистор Vcbo-1500 V Vceo-700 V Vebo-7 V Ic- 8 A Pc-125 W Tj150 ℃ Tstg -65~150 Корпус TO-3PN Применение Power, Switching Аналоги: BU508A

от 336 руб.
Тип Биполярный транзистор Vcbo-1500 V Vceo-700 V Vebo-7 V Ic- 8 A Pc-125 W Tj150 ℃ Tstg -65~150 Корпус TO-3PN Применение Power, Switching Аналоги: BU508A

от 336 руб.

Посмотреть

Тип Биполярный транзистор Vcbo-1500 V Vceo-700 V Vebo-7 V Ic- 8 A Pc-125 W Tj150 ℃ Tstg -65~150 Корпус TO-3PN Применение Power, Switching Аналоги: BU508A

от 336 руб.
Тип Биполярный транзистор Vcbo-1500 V Vceo-700 V Vebo-7 V Ic- 8 A Pc-125 W Tj150 ℃ Tstg -65~150 Корпус TO-3PN Применение Power, Switching Аналоги: BU508A

от 336 руб.

Посмотреть

Электронные компоненты: DF6113

от 238 руб.
Электронные компоненты: DF6113

от 238 руб.

Посмотреть

Тип: микросхема

от 438 руб.
Тип: микросхема

от 438 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макc...

от 696 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 696 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макc...

от 1 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 1 230 руб.

Посмотреть

Электронные компоненты: DF6113 по выгодной цене

от 206 руб.
Электронные компоненты: DF6113 по выгодной цене

от 206 руб.

Посмотреть

Микроконтроллер 8-Бит, PIC18F2520-I/SO, SOP-28 по выгодной цене

от 308 руб.
Микроконтроллер 8-Бит, PIC18F2520-I/SO, SOP-28 по выгодной цене

от 308 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 77 руб.
Тип: транзистор

от 77 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 147 руб.
Тип: транзистор

от 147 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 15 руб.
Тип: транзистор

от 15 руб.

Посмотреть

Тип: кварцевый резонатор

от 24 руб.
Тип: кварцевый резонатор

от 24 руб.

Посмотреть

Модуль IGBT DF150R12RT4 по выгодной цене

от 7 240 руб.
Модуль IGBT DF150R12RT4 по выгодной цене

от 7 240 руб.

Посмотреть

Динамик профессиональный ВЧ Lavoce DF10.172K по выгодной цене

от 5 490 руб.
Динамик профессиональный ВЧ Lavoce DF10.172K по выгодной цене

от 5 490 руб.

Посмотреть

Динамик профессиональный ВЧ Lavoce DF10.142LK по выгодной цене

от 3 290 руб.
Динамик профессиональный ВЧ Lavoce DF10.142LK по выгодной цене

от 3 290 руб.

Посмотреть

Динамик профессиональный ВЧ Lavoce DF10.101L по выгодной цене

от 2 190 руб.
Динамик профессиональный ВЧ Lavoce DF10.101L по выгодной цене

от 2 190 руб.

Посмотреть

Lavoce DF10.172K - высокочастотный драйвер разработаный итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы

от 8 890 руб.
Lavoce DF10.172K - высокочастотный драйвер разработаный итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы

от 8 890 руб.

Посмотреть

Модуль IGBT, 1200В, 150А

от 8 181 руб.
Модуль IGBT, 1200В, 150А

от 8 181 руб.

Посмотреть

Драйвер ВЧ компрессионный Lavoce DF10.101L, 40ВтЗвуковая катушка 1". Чувствительность 107 дБ/УЗД. Программная мощность 40 Вт.1500 - 18000 Гц диапазон частот. Полимерная диафрагма. ВЧ драйвер нового поколения. Номинальный диаметр: 25,4 мм (1"). Номинальное сопротивление:...

от 2 063 руб.
Драйвер ВЧ компрессионный Lavoce DF10.101L, 40ВтЗвуковая катушка 1". Чувствительность 107 дБ/УЗД. Программная мощность 40 Вт.1500 - 18000 Гц диапазон частот. Полимерная диафрагма. ВЧ драйвер нового поколения. Номинальный диаметр: 25,4 мм (1"). Номинальное сопротивление: 8 Ом. Минимальное сопротивлен...

от 2 063 руб.

Посмотреть

[CDATA[ Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм...

от 5 300 руб.
[CDATA[ Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм (дюйм): 25,4 (1) - Номинал со...

от 5 300 руб.

Посмотреть

DF10.101L Драйвер ВЧ компрессионный, 40Вт, 8 Ом, Lavoce Звуковая катушка 1". Чувствительность 107 дБ/УЗД. Программная мощность 40 Вт. 1500 - 18000 Гц диапазон частот. Полимерная диафрагма. ВЧ драйвер нового поколения. Номинальный диаметр: 25,4 мм (1"). Номинальное сопро...

от 2 910 руб.
DF10.101L Драйвер ВЧ компрессионный, 40Вт, 8 Ом, Lavoce Звуковая катушка 1". Чувствительность 107 дБ/УЗД. Программная мощность 40 Вт. 1500 - 18000 Гц диапазон частот. Полимерная диафрагма. ВЧ драйвер нового поколения. Номинальный диаметр: 25,4 мм (1"). Номинальное сопротивление: 8 Ом. Минимальное со...

от 2 910 руб.

Посмотреть

[CDATA[ Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм...

от 5 300 руб.
[CDATA[ Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм (дюйм): 25,4 (1) - Номинал со...

от 5 300 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 18 руб.
Тип: транзистор

от 18 руб.

Посмотреть

Тип: диодный мост, тип корпуса DIP4 Максимальное напряжение: импульсное обратное (VRRM) - 1000 В Максимальный ток: средний прямой IF(AV) (при ТA =40°С) - 1 А Ток: импульсный прямой (IFSM) - 50 А Напряжение: постоянное импульсное прямое (VFM) - 1,1 В Максимальный ток: об...

от 221 руб.
Тип: диодный мост, тип корпуса DIP4 Максимальное напряжение: импульсное обратное (VRRM) - 1000 В Максимальный ток: средний прямой IF(AV) (при ТA =40°С) - 1 А Ток: импульсный прямой (IFSM) - 50 А Напряжение: постоянное импульсное прямое (VFM) - 1,1 В Максимальный ток: обратный при Uном. и TA=25°С (IR...

от 221 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 35 руб.
Тип: транзистор

от 35 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 34 руб.
Тип: транзистор

от 34 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Ac-959, BU406, Транзистор NPN 200В 7А 60Вт 10МГц TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ON Semiconductor количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 235 руб.
Ac-959, BU406, Транзистор NPN 200В 7А 60Вт 10МГц TO-220, ABC, Транзистры биполярные, ON Semiconductor количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 235 руб.

Посмотреть

Ac-31437, BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом ISOWATT-218, ABC, Тразисторы биполярные (BJTs), Vishay количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 312 руб.
Ac-31437, BU808DFI, Транзистор NPN DARLINGTON, высоковольтный, сопротивление Э-Б от 40 Ом ISOWATT-218, ABC, Тразисторы биполярные (BJTs), Vishay количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 312 руб.

Посмотреть

Тип: диодный мост

от 779 руб.
Тип: диодный мост

от 779 руб.

Посмотреть

Диодные мосты USA MCC DF10A 1000V 1A SMD-4, 10 штук количество в упаковке: 10 шт

от 779 руб.
Диодные мосты USA MCC DF10A 1000V 1A SMD-4, 10 штук количество в упаковке: 10 шт

от 779 руб.

Посмотреть

Корпус: TO-220 Упаковка: 50 Тип Проводимости: NPN Максимальное Напряжение КЭ, В: 200 Максимальный Постоянный Ток Коллектора, А: 7 Максимальная Рассеиваемая Мощность, Вт: 2 Коэффициент Усиления HFE Мин.: 50 Максимальное Напряжение КБ (Vcbo)

от 407 руб.
Корпус: TO-220 Упаковка: 50 Тип Проводимости: NPN Максимальное Напряжение КЭ, В: 200 Максимальный Постоянный Ток Коллектора, А: 7 Максимальная Рассеиваемая Мощность, Вт: 2 Коэффициент Усиления HFE Мин.: 50 Максимальное Напряжение КБ (Vcbo)

от 407 руб.

Посмотреть

Звуковая катушка 1". Чувствительность 107 дБ/УЗД. Программная мощность 40 Вт. 1500 - 18000 Гц диапазон частот. Полимерная диафрагма. ВЧ драйвер нового поколения. Номинальный диаметр: 25,4 мм (1"). Номинальное сопротивление: 8 Ом. Минимальное сопротивление: 6 Ом. Програм...

от 2 750 руб.
Звуковая катушка 1". Чувствительность 107 дБ/УЗД. Программная мощность 40 Вт. 1500 - 18000 Гц диапазон частот. Полимерная диафрагма. ВЧ драйвер нового поколения. Номинальный диаметр: 25,4 мм (1"). Номинальное сопротивление: 8 Ом. Минимальное сопротивление: 6 Ом. Программная мощность: 40 Вт. Номиналь...

от 2 750 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимальн...

5 2 отзыва
от 391 руб.
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллек...
2 отзыва

от 391 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимальн...

5 2 отзыва
от 391 руб.
Биполярный транзистор BU406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: BU406 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллек...
2 отзыва

от 391 руб.

Посмотреть

Диод DF20LC30 D2Pak, 300В, 20А, 30нс по выгодной цене

от 641 руб.
Диод DF20LC30 D2Pak, 300В, 20А, 30нс по выгодной цене

от 641 руб.

Посмотреть

Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм (дюйм):...

от 8 890 руб.
Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм (дюйм): 25,4 (1) - Номинал сопротивле...

от 8 890 руб.

Посмотреть

Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм (дюйм):...

от 8 890 руб.
Высокочастотные драйверы Lavoce разработаны итальянскими инженерами с применением передовых методов компьютерного моделирования, благодаря чему ключевые параметры магнита, диафрагмы и фазовой вилки тщательно оптимизированы. Характеристики: - Выходной диаметр, мм (дюйм): 25,4 (1) - Номинал сопротивле...

от 8 890 руб.

Посмотреть

В комплекте 2 штуки новых деталей MXIC MX 25L3206E M2I-12G контроллер (2 шт.) SOP-8 аналог AT25DF321A-SH-B схема MX25L3235EM2I-10G характеристики цоколевка datasheet флэш-память микросхема Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 32Mбитt 32M/16M x 1/2...

от 591 руб.
В комплекте 2 штуки новых деталей MXIC MX 25L3206E M2I-12G контроллер (2 шт.) SOP-8 аналог AT25DF321A-SH-B схема MX25L3235EM2I-10G характеристики цоколевка datasheet флэш-память микросхема Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 32Mбитt 32M/16M x 1/2-битt 6нс Технические параметр...

от 591 руб.

Посмотреть

BH-04010B D Батарейный отсек с креплением по выгодной цене

от 120 руб.
BH-04010B D Батарейный отсек с креплением по выгодной цене

от 120 руб.

Посмотреть

Рубрика Bu2520Df содержит 1592 товара, которые продаются в 32 магазинах в Краснодаре по цене от 244 руб. до 2236 руб.
Новые категории
Может быть интересно
Почитайте отзывы покупателей на товары
Отзывы на электронные модули Отзывы на электронные модули стиральных машин Отзывы на регулятор мощности, напряжения переменного тока gsmin ak76 (220в, 50-220в, 2000w) диммер (зеленый)