Транзистор кт829 в Москве
Транзистор кт829 в Ростове-на-Дону

Транзистор кт829 в Краснодаре

3089 товаров
Вы выбрали: Транзистор кт829 x
Сбросить (2)

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

5 1 отзыв
от 149 руб.
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic)...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 325 руб.
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C

от 325 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 186 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 ВМ...

от 186 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 186 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 ВМ...

от 186 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V Предельное посто...

от 129 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 V Предельное постоя...

от 128 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 Вт TO-92 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 222 руб.
S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 Вт TO-92 по выгодной цене

от 222 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 AПредельная тем...

от 129 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

5 1 отзыв
от 167 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...
1 отзыв

от 167 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзи...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 300 VПредельное постоян...

от 128 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

2N3055 Транзистор биполярный NPN 60В 15А TO-3 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 300 руб.
2N3055 Транзистор биполярный NPN 60В 15А TO-3 по выгодной цене

от 300 руб.

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Кабель зарядки Micro USB Remax Lesu RC-050i (черный)

от 222 руб.
Кабель зарядки Micro USB Remax Lesu RC-050i (черный)

от 222 руб.

Посмотреть

Транзистор npn. используется в приемнике globo x80. формирует напряжение 5 в для питания карты и картоприемника. тип: транзистор

от 421 руб.
Транзистор npn. используется в приемнике globo x80. формирует напряжение 5 в для питания карты и картоприемника. тип: транзистор

от 421 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C

от 264 руб.
N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C

от 264 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 267 руб.
ОЕМ

от 267 руб.

Посмотреть

Транзистор полевой n канальный mosfet 600v, 6a, 40w

от 437 руб.
Транзистор полевой n канальный mosfet 600v, 6a, 40w

от 437 руб.

Посмотреть

Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

от 421 руб.
Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

от 421 руб.

Посмотреть

Транзистор IRF7301TRPBF по выгодной цене

от 666 руб.
Транзистор IRF7301TRPBF по выгодной цене

от 666 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 196 руб.
ОЕМ

от 196 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...

от 189 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A М...

от 189 руб.

Посмотреть

Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN тип: транзистор

от 330 руб.
Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN тип: транзистор

от 330 руб.

Посмотреть

Полевой применяется во вторичной цепи блоков питания dre GS 5000...7300

от 269 руб.
Полевой применяется во вторичной цепи блоков питания dre GS 5000...7300

от 269 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

от 421 руб.
Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

от 421 руб.

Посмотреть

ОЕМ тип: транзистор

от 261 руб.
ОЕМ тип: транзистор

от 261 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 10 руб.
Тип: транзистор

от 10 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 10 руб.
Тип: транзистор

от 10 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 167 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное...

от 167 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 425 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 425 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Сдвоенный n канальный транзистор

от 473 руб.
Сдвоенный n канальный транзистор

от 473 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 213 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 213 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 V Предельное постоя...

от 128 руб.

Посмотреть

Совместимый бренд Intrnational Rectifier Тип Контроллер

от 190 руб.
Совместимый бренд Intrnational Rectifier Тип Контроллер

от 190 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 40 руб.
Тип: транзистор

от 40 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 10 руб.
Тип: транзистор

от 10 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 419 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 419 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 462 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 462 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 60 руб.
Тип: транзистор

от 60 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 310 руб.
ОЕМ

от 310 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 413 руб.
Тип: транзистор

от 413 руб.

Посмотреть

Lenovo IdeaPad Y40 Y40-70 Y40-70AT Y40-70AM FCN DFS470805CL0T FFGH DC28000ETF0 8 pin

Express доставка
от 333 руб.
Lenovo IdeaPad Y40 Y40-70 Y40-70AT Y40-70AM FCN DFS470805CL0T FFGH DC28000ETF0 8 pin

от 333 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 419 руб.
Тип: транзистор

от 419 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...

от 135 руб.
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 0.7 ВтКрутизна характерис...

от 135 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 425 руб.
Тип: транзистор

от 425 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор дополнительная информация: Тип транзистора: MOSFET. Полярность: N. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Максимально допустимый пост...

Express доставка
от 245 руб.
Тип: транзистор дополнительная информация: Тип транзистора: MOSFET. Полярность: N. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W. Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V. Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V. Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 52 A. М...

от 245 руб.

Посмотреть

N Channel, Id=29A, Vds=55V, Rds(on)=0.04ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=56W, корпусTO-220AB-3, t-175°C

от 241 руб.
N Channel, Id=29A, Vds=55V, Rds(on)=0.04ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=56W, корпусTO-220AB-3, t-175°C

от 241 руб.

Посмотреть

ОЕМ тип: транзистор

от 276 руб.
ОЕМ тип: транзистор

от 276 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 422 руб.
Тип: транзистор

от 422 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 10 руб.
Тип: транзистор

от 10 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

Express доставка
от 270 руб.
Тип: транзистор

от 270 руб.

Посмотреть

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

от 155 руб.
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваемая мощность коллектора, не боле...

от 155 руб.

Посмотреть

IRLML6401TRPBF Транзистор P-канал 12В 4.3А (SOT-23) по выгодной цене

от 189 руб.
IRLML6401TRPBF Транзистор P-канал 12В 4.3А (SOT-23) по выгодной цене

от 189 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 220 руб.
Тип: транзистор

от 220 руб.

Посмотреть

N Channel, Id=53A, Vds=55V, Rds(on)=0.0165ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=107W, корпусTO-220AB-3, t-175°C

от 231 руб.
N Channel, Id=53A, Vds=55V, Rds(on)=0.0165ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=107W, корпусTO-220AB-3, t-175°C

от 231 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

ОЕМ тип: транзистор

Express доставка
от 266 руб.
ОЕМ тип: транзистор

от 266 руб.

Посмотреть

Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e =10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)

от 253 руб.
Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e =10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)

от 253 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 276 руб.
ОЕМ

от 276 руб.

Посмотреть

Надежный NPN транзистор производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 80ВМакс. напр. количество в упаковке: 250 шт. тип: транзистор

от 155 руб.
Надежный NPN транзистор производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 80ВМакс. напр. количество в упаковке: 250 шт. тип: транзистор

от 155 руб.

Посмотреть

Материнская плата для ноутбука RageX

от 380 руб.
Материнская плата для ноутбука RageX

от 380 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 433 руб.
Тип: транзистор

от 433 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 10 руб.
Тип: транзистор

от 10 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 413 руб.
Тип: транзистор

от 413 руб.

Посмотреть

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

от 155 руб.
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваемая мощность коллектора, не боле...

от 155 руб.

Посмотреть

FMMT618 618 NPN Биполярный транзистор СОТ-23 по выгодной цене

от 235 руб.
FMMT618 618 NPN Биполярный транзистор СОТ-23 по выгодной цене

от 235 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 273 руб.
ОЕМ

от 273 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…25...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250 Граничная частота коэффициен...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

от 230 руб.
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота ко...

от 230 руб.

Посмотреть

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения

от 230 руб.
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения

от 230 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 380...

от 230 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 380…800 Граничная частота коэффиц...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Гран...

от 200 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Граничная частота коэффициента пер...

от 200 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…500 Граничная частота коэффи...

от 230 руб.

Посмотреть

Транзистор КТ805Б по выгодной цене

от 282 руб.
Транзистор КТ805Б по выгодной цене

от 282 руб.

Посмотреть

Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

от 230 руб.
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота ко...

от 230 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максима...

от 280 руб.
Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максимально допустимая постоянная рас...

от 280 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…500 Граничная частота коэффи...

от 230 руб.

Посмотреть

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототи...

от 230 руб.
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототип BF459, BF458 Осо...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 380...

от 230 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 380…800 Граничная частота коэффиц...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Г...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Граничная частота коэффициента...

от 230 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100...

от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250 Граничная частота коэффиц...

от 230 руб.

Посмотреть

Описание транзисторыТранзисторы разные

от 286 руб.
Описание транзисторыТранзисторы разные

от 286 руб.

Посмотреть

Рубрика Транзистор кт829 содержит 3089 товаров, которые продаются в 62 магазинах в Краснодаре по цене от 10 руб. до 666 руб.
Новые категории
Может быть интересно
Почитайте отзывы покупателей на товары
Отзывы на электронные модули Отзывы на электронные модули стиральных машин Отзывы на регулятор мощности, напряжения переменного тока gsmin ak76 (220в, 50-220в, 2000w) диммер (зеленый)